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【榜样力量】物电院谢政道博士:在《Nature Electronics》发表最新科研进展

作者:李玉翠   来源: 物电院 湖南大学新闻网   发布时间:2019-12-30 09:19   点击数:

近日,我校物理与微电子科学学院博士研究生谢政道在国际知名杂志《自然·电子学》(Nature Electronics)的“新闻和观点”(news & views)栏目下,发表《Ultrathin dielectrics for 2D devices》。谢政道为文章的第一作者。

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文章介绍了超薄二维材料作为晶体管电介质层的最新研究进展。运用原子沉积法(ALD)将单层10-四羧酸二酐(PTCDA)用作种子层覆盖整个在二维材料表明,并用自限外延技术,构建了HfO2/PTCDA/2D结构,其中HfO2的厚度为1nm等效氧化物厚度(该尺寸表示SiO2产生等效电容的厚度),实现了超薄电介质的构造。运用该技术制备的MoS2和WSe2的二维晶体管的亚阈值摆幅接近60mV/dec,工作电压低至0.8V,具有良好的电学性质。

原文链接:https://www.nature.com/articles/s41928-019-0344-9